Allalin快速定量阴极发光 CL-SEM系统

在半导体故障分析、开发和研究中，Allalin 的光谱测量能力为快速可靠的缺陷检测和定位供了无与伦比的解决方案。经过验证的用例包括位错密度、材料成分波动、应变、掺杂剂类型和浓度的测量；以及其他广泛的应用。

在科学研究中，Allalin能够创建纳米分辨率的光谱图，这使得它成为深入了解纳米尺度物体物理特性的终极工具。

Allalin 拥有一套全面的选项，可为您的应用优化该工具的性能：覆盖紫外 - 红外波长范围的各种探测器选择、稳定的低温阶段和高灵敏度的 EBIC（电子束感应电流）检测解决方案。

Allalin快速定量阴极发光 CL-SEM系统的优点：

·纳米半导体光学特性

·晶体缺陷检测和定位（螺纹位错、堆积缺陷、掺杂物等）

·纳米级成分波动的测定

·掺杂计量

·失效分析

·纳米光子学

·在300µm的视野（FOV）范围内最高的收集效率

·确保化学发光均匀性和再现性，使系统定量和定性。定量：在300µm的大FOV（无渐晕）下，光子收集效率恒定（±1%）；在不移动样本的情况下，执行300µm的图谱：阴极发光结果可重复且可比较。

·使用近光剂量，减少了对敏感样品造成光束损坏的可能性。

·快！单次高光谱CL-map测量时间从18秒到30分钟不等，而竞争对手的是30分钟至多小时。

· 同时生成SEM图像和高光谱CL图像，而不会降低电子探针的尺寸。

·Schottky FEG适用于高电流密度：30 pA至300 nA

·CL模式下的扫描电镜最高分辨率：低至3nm

·专用Attomap高光谱分析软件

·具有低温选项的高精度纳米定位工作台（10 K至室温）