杂化钙钛矿薄膜的TRCL分析

在优化的采集条件下，使用脉冲电子束，可以通过CL高光谱图的采集来解决杂化钙钛矿薄膜发射特征的不均匀性。

这些优化将有助于解锁CL高光谱mapping和TRCL在电子束更敏感的杂化钙钛矿组合物上的使用。

钙钛矿CL光谱分析

钙钛矿表面的表征：以背散射模式记录的SEM图像，以突出表面上的PbI2团簇（左）；

在不同温度下在钙钛矿膜上记录的阴极发光光谱。来自（1）钙钛矿、（2）束诱导分解产物和（3）PbI2（中间）的发光；

在170K下测量的PbI2发射的阴极发光图（在475-525nm光谱范围内积分的发光）证实了PbI2团簇的存在。

钙钛矿太阳能电池

沉积在中孔-TiO2/致密-TiO2/FTO上的原始（对照）和含有调节剂（N、S和SN）钙钛矿膜的平面图（顶部）和横截面（底部）SEM图，

沉积在ITO（1mm）玻璃基板上的原始（对照）和含添加剂（N、S和SN）钙钛矿膜的阴极发光（CL）图谱。

研究中使用的N、S和SN调节剂的结构，以及SN的相应互变异构形式（在B3LYP/6-31G（d）理论水平上通过DFT计算优化的几何结构。

多晶CdTe太阳能电池TRCL检测

峰值光子能量和CL强度与薄膜深度的相关性。a） 斜面样品CL实验示意图。b） 作为与CdSeTe/MgZnO界面距离的函数，平行于结平均的峰值光子能量和c）CL强度。

成分x值在0%至40%范围内的倾斜CdSexTe1-x样品的CL强度。最上面的一行表示右侧图例中显示的普通缩放的强度。中间一行对每个构图使用单独的缩放来增强每个构图的对比度。下一行用颜色表示第二行的结果，以增强整个膜的可视化，特别是对于更高的Se浓度。右侧图例提供了比例。白色条对应于沿着倾斜表面的5微米。

CdTe薄膜太阳能电池中晶界、晶粒内部和表面复合的发光方法