单层二维过渡金属二硫化物，如MoS₂、WS₂和WSe₂，是具有大激子结合能的直接带隙半导体。它们在光电应用方面吸引了越来越多的关注，包括太阳能电池、光电探测器、发光二极管和光电晶体管、电容储能、光动力癌症治疗和柔性器件上的传感。虽然光致发光已经被广泛应用，但自由电子注入引起的发光可能会成为这些新材料的另一个重要应用。然而，由于单层中电子空穴产生过程的低横截面，阴极发光效率低下。

      在这里，我们首次表明，当单层半导体夹在具有较高能隙的六方硼氮化物（hBN）层之间时，可以在范德华异质结构中明显观察到单层硫族化物半导体的阴极发光。发射强度显示出强烈的依赖于周围层的厚度，并且增强因子超过500倍。通过阴极发光光谱研究了悬浮异质结构中应变诱导的激子峰移。我们的结果表明，MoS₂、WS₂和WSe₂可能是一种很有前途的阴极发光材料，用于单光子发射器、高能粒子探测器、透射电子显微镜显示器、表面传导电子发射器和场发射显示器技术。

SEM-CL 应用 单层过渡金属二硫化物半导体阴极发光的巨大增强