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SEM-CL应用 半导体

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超高时间、空间分辨阴极荧光技术助力半导体激子和载流子动力学研究


从原子尺度对半导体材料的电子能带结构和载流子动力学进行人工裁剪和调控,对于设计型光电子功能器件和提升现有半导体光电子器件性能,尤其是小尺度的纳米光电子器件。为了从实验上直接证实应变梯度对半导体激子和载流子动力学的驱动效应,俞大鹏院士课题组利用超高时间/空间分辨的阴极荧光(TRCL)技术对纯弯曲ZnO微/纳米开展皮秒时间分辨的激子动力学开展了深入研究,首次从实验上直接观察到了应变梯度对激子的驱动效应,确立了半导体中应变梯度的重要作用,即应变梯度可有效用于调控半导体激子和载流子动力学特性,这对于设计开发各种新型半导体光电子器件具有十分重要的指导意义。

应用示例

 –局部辐射和非辐射载流子寿命的测量 

– 半导体异质结构中的激发载流子动力学 

– 先进的泵浦光谱学


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